Çinli bir araştırma ekibi, verileri 400 pikosaniyede bir bit hızında depolayabilen devrim niteliğinde bir flash bellek cihazı geliştirdi. Bu, şimdiye kadar bildirilen en hızlı yarı iletken depolama cihazı olarak kayıtlara geçti.

“PoX” adı verilen bu uçucu olmayan bellek, bir bit veriyi depolamak için yaklaşık 1 ila 10 nanosaniye süren en hızlı uçucu bellek teknolojilerini bile geride bırakıyor. Karşılaştırma açısından, bir pikosaniye bir nanosaniyenin binde biri, yani saniyenin bir trilyonda biridir.

SRAM ve DRAM gibi uçucu bellekler, elektrik kesildiğinde verileri kaybettikleri için düşük güçlü sistemler için uygun değildir. Öte yandan flash gibi uçucu olmayan bellekler enerji açısından verimli olsa da yapay zekânın yüksek hızlı veri erişimi gereksinimlerini karşılayamaz.

Fudan Üniversitesi’nden araştırmacılar, iki boyutlu Dirac grafen kanallı bir flash bellek geliştirerek, uçucu olmayan bilgi depolama ve erişiminde hız sınırlarını aşmayı başardı.

Araştırmanın sonuçları Çarşamba günü Nature dergisinde yayımlandı.

Çalışmanın baş araştırmacısı Zhou Peng, yaptığı açıklamada, “Yapay zekâ algoritmalarını kullanarak işlem test koşullarını optimize ettik ve bu yeniliği önemli ölçüde ileri taşıyarak gelecekteki uygulamaların yolunu açtık.” dedi.

Nature dergisinin hakem değerlendirmesinde şu ifadelere yer verildi: “Bu özgün bir çalışma ve yenilik seviyesi, gelecekte yüksek hızlı flash bellek tasarımları için yeterli potansiyele sahip.” (İLKHA)